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導(dǎo)電微晶靜電場描繪儀 簡介..
  • 發(fā)布日期:2022-10-20      瀏覽次數(shù):670
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      .知識準(zhǔn)備

      1. 關(guān)鍵詞:模擬法,靜電場,穩(wěn)恒電流場,等位線,電力線;

      2. 用模擬法測繪靜電場分布的原理;

      3. 高斯定律。

      二.實驗?zāi)康?/span>          

             1、學(xué)習(xí)用模擬方法來測繪具有相同數(shù)學(xué)形式的物理場;

           2、描繪出分布曲線及場量的分布特點;

           3、加深對各物理場概念的理解;

           4、初步學(xué)會用模擬法測量和研究二維靜電場。

      主要技術(shù)參數(shù):

      1.     HAGVZ-4型為箱體和電源分離式,單筆測試,內(nèi)置四種電極

      (同心圓、平行導(dǎo)線、聚焦、劈尖形或飛機(jī)機(jī)翼電場)。
      2.規(guī)格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導(dǎo)線。
      3.同心圓印有極坐標(biāo)(大r6.5cm ,小r1cm),其他電極距離為8cm.
      4.微晶導(dǎo)電層的均勻性,實驗值誤差為小于2%。
      5.電源輸出范圍(直流)為7.00v—13.00V,分辨率為0.01V (配三位半數(shù)碼管)。
      6.采用多圈電位器調(diào)節(jié)電壓,調(diào)節(jié)細(xì)度可達(dá)0.01V。

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

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